RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.9
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
11.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2734
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 99U5624-001.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZRC 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Corsair CMSX8GX4M1A2666C18 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Mushkin MR[A/B]4U320GJJM8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FR 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link