RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
36
Wokół strony 22% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.7
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
12800
Wokół strony 2 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
36
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.0
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
25600
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2353
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Apacer Technology 76.C102G.D170B 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link