RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
28
Wokół strony -8% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
26
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2633
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMK8GX4M1D2400C14 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMR64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link