RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
20
28
Wokół strony -40% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.5
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
20
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
19.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3483
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6B1 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link