RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
30
Wokół strony 7% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.4
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
12800
Wokół strony 1.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
30
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
21300
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
3140
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6D1 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKW 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
SK Hynix HMA82GU6CJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZR 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBR2 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kllisre 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 99U5700-010.A00G 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link