RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
94
Wokół strony 70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
14.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
12800
Wokół strony 1.5 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
94
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
14.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
7.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
19200
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1506
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
V-GEN D4H4GS24A8 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDR1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BZ4SHD 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hewlett-Packard 7EH64AA# 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-2666E 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GVK 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBD2 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link