RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
28
Wokół strony -22% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
23
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
2619
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/8G 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3400 C16 Series 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRC 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link