RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
11.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
58
Wokół strony -76% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
33
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2806
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FJ 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C8FE 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link