RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
12.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
58
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
3279
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO416E82-2400E 16
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDD 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M392B1K70DM0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link