RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
14.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
58
Wokół strony -115% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
27
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
14.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
3693
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKKF 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GVR 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17081C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link