RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
22
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
58
Wokół strony -241% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
17
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
22.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
3704
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESTK.M8FE 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFT 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link