RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
58
Wokół strony -107% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
28
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
18.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
3716
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2400C1XMP 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905678-041.A00G 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link