RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
13.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
58
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
3171
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Gloway International (HK) STK2400CL17SNB16GB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C8FE 2GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43MB1-CTD 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Gloway International Co. Ltd. STK4U2400D17082C 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link