RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
14.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
58
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
3260
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N-VK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K1HU408 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hewlett-Packard 7TE39AA#ABC 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link