RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
13.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
58
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
13.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
3007
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRBB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRGB 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FH 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link