RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
58
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2346
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C17 Series 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3733C17 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2E1 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Transcend Information TS2GLH64V1B 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-2666C18-8GFT 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston KHX3466C19D4/8G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Samsung M471A5143EB1-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link