RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
58
Wokół strony -14% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
51
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
11.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2687
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
A-DATA Technology AO1L16BC4R1-BQ7S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6JJR8N
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Smart Modular SMU4TDC3C0K0464SCG 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Mushkin MRA4S293MMMF32G 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Kingston 9965604-008.D00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link