RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
10.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
58
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
10.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2732
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2666C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology 78.CAGQ7.ARC0B 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston HP26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GVR 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link