Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Wynik ogólny
star star star star star
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB

Różnice

  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    4 left arrow 17.9
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    2,107.0 left arrow 13.8
    Średnia wartość w badaniach
  • Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
    21 left arrow 58
    Wokół strony -176% niższe opóźnienia
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    21300 left arrow 6400
    Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR2 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    58 left arrow 21
  • Prędkość odczytu, GB/s
    4,025.3 left arrow 17.9
  • Prędkość zapisu, GB/s
    2,107.0 left arrow 13.8
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Opis
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Taktowanie / szybkość zegara
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    670 left arrow 3167
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania