RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
10
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
52
58
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
2,107.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
52
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2306
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FADG 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4600C19A 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston 9965662-009.A00G 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SK Hynix HMA82GR7MFR8N-UH 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Virtium Technology Inc. VL33A1G63F-N6S 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link