RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,107.0
13.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
58
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
11.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
13.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2844
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A141 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCSS 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Avant Technology J641GU48J5213NG 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM16G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avant Technology J641GU42J5213ND 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link