RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Porównaj
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB vs Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
58
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.0
2,107.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,025.3
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
2,107.0
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
670
2103
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.0AGA0.9K5 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G44 8GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT8G48C40U5.M4A1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662S 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Crucial Technology BLT4G3D1337DT1TX0. 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link