RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Porównaj
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
7.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
50
52
Wokół strony -4% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.4
10.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
17500
Wokół strony 1.22 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
52
50
Prędkość odczytu, GB/s
10.2
13.4
Prędkość zapisu, GB/s
8.2
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
17500
21300
Other
Opis
PC4-17500, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2319
1976
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G4AT 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston 9965589-007.D01G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GC3000C15K4 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link