Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB

Wynik ogólny
star star star star star
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Różnice

  • Większa szybkość zapisu, GB/s
    12.1 left arrow 12.0
    Średnia wartość w badaniach
  • Większa szybkość odczytu, GB/s
    17.3 left arrow 16.4
    Średnia wartość w badaniach
  • Wyższa przepustowość pamięci, mbps
    25600 left arrow 21300
    Wokół strony 1.2 większa szerokość pasma

Specyfikacje

Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Główna charakterystyka
  • Typ pamięci
    DDR4 left arrow DDR4
  • Opóźnienie w PassMark, ns
    34 left arrow 34
  • Prędkość odczytu, GB/s
    16.4 left arrow 17.3
  • Prędkość zapisu, GB/s
    12.1 left arrow 12.0
  • Szerokość pasma pamięci, mbps
    21300 left arrow 25600
Other
  • Opis
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
  • Taktowanie / szybkość zegara
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
    2616 left arrow 2665
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Najnowsze porównania