RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
71
Wokół strony 28% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
5.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
71
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
5.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1344
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
ADVAN Inc AM42E28UD04T-NVL 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M378B1G73EB0-CK0 8GB
Mushkin MRA4S266GHHF32G 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link