RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
51
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
21
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2414
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3466C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Crucial Technology CT16G4DFD824A.M16FD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 99U5471-037.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
SK Hynix HMT351S6EFR8C-PB 4GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FP 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link