RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
51
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2687
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avant Technology W642GU42J5213N8 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FG 4GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX2933C17D4/8G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingston 9905665-011.A00G 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.CAGSZ.4070B 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link