RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
51
Wokół strony -122% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
23
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3025
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Ramaxel Technology RMUA5090KB78HAF2133 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link