RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Avexir Technologies Corporation T 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
51
Wokół strony -143% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
21
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2801
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Apacer Technology 78.DAGNN.4030B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 8GB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GRS 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMH32GX4M2Z3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link