RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2190
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X4GF2133C15S2 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRR 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJRJR-VK 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston MSI24D4U7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GVKC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link