RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.8
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2971
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMD32GX4M4B3600C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston 9905678-026.A00G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link