RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
51
Wokół strony -104% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.6
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
25
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
15.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3663
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMR16GX4M2F4000C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avant Technology J641GU49J2320NE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Kingston 9905598-006.A00G 8GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
A-DATA Technology AE4S240038G17-BHYA 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Corsair CMR32GX4M4A2666C16 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link