RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3209
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Good Wealth Technology Ltd. 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD64GX4M4B3466C16 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FE 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM2666HSB-16G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link