RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
51
Wokół strony -82% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
28
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3428
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-8GTZRX 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 99U5702-089.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link