RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
77
Wokół strony 34% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
6.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
77
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
11.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
6.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1517
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Samsung M471A1K1KCB1-CRC 8GB
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G6E1 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
ASint Technology SSZ3128M8-EDJ1F 2GB
Crucial Technology C 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link