RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3755
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston KF2666C16D4/16G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Samsung M393A2K43BB1-CPB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M378A1K43BB2-CTD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
SK Hynix HMT41GS6AFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link