RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
21.2
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3755
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE22G64AP-RQ 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 99U5643-001.A00G 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB88CHN-DG 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BL32G36C16U4BL.M16FB 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSEK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link