RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
51
Wokół strony -96% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
19.3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.7
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
26
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
19.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
16.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3733
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGR4.40C0B 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4400C19A 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston KGTWW1-MIE 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.M4FE 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link