RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.6
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2291
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 4GB 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston 9905624-051.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link