RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
51
Wokół strony -50% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.9
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
34
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
25600
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3401
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-003.A00G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C16 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link