RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
51
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
18.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.4
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
22
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
18.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
14.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3255
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FH 16GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A4G43MB1-CTD 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston 9905713-019.A00G 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston X6TCK6-MIE 32GB
Samsung M393B2G70AH0-YH9 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-TF 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO2P21FC8R2-BRGS 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M386A4K40BB0-CRC 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2666 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link