RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.1
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2962
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-UH 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905678-006.A00G 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Elpida EBJ41UF8BCS0-DJ-F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link