RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
11.3
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
33
51
Wokół strony -55% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.4
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
33
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2919
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FN 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Mushkin 991586 2GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Inmos + 256MB
A-DATA Technology DDR3 1866 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KHYXPX-MIE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link