RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
64
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.5
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
64
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.5
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2016
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Kingston KHX16 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Mushkin MRA4S320GJJM16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M4A2400C14 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link