RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
51
Wokół strony -24% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
41
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2501
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRK 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Mushkin 991586 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832160B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK16GX4M1B3000C15 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link