RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
51
Wokół strony -113% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.7
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.0
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
24
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.7
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
12.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2618
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GSQ 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMN32GX4M2Z3600C18 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GVK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLNG43F-18---------- 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB
Kingston 99U5584-018.A00LF 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link