RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
11.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
51
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
32
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2855
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-16GSXF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZ 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17082C 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Corsair CM4X32GC3200C16K2E 32GB
Kingston XCCT36-MIE 16GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BW4S 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link