RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
73
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
15
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Zgłoś błąd
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
73
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
7.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
1838
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GFT 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
Nanya Technology NT4GC64C88B1NS-DI 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C15 8GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332S 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMH16GX4M2D3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link