RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
12.9
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
17000
Wokół strony 1.51% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
51
Wokół strony -34% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
38
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
17000
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2690
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Panram International Corporation PUD42133C158G2VS 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4RL.M8FB1 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Kllisre 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3200C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link