RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
51
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.6
15.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.1
11.8
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
13.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
3100
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GRS 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD64GX4M4B3333C16 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E85-2666E 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2400C14 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Transcend Information JM2666HLG-16GK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9905744-011.A00G 32GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2D3000C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link