RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
51
64
Wokół strony 20% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
10.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.3
15.6
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
64
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
10.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2181
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3733C17 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M378A1K43CB2-CTD 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6JJR8N
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FR 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link